溫濕度會影響氣體傳感器的使用壽命
導讀： 絕大多數氣體傳感器對環境溫度是敏感的。其原因是不論化學反應、電子元器件，仍是無機和有機材料，性能參數都會隨溫度而改動。畢竟構成傳感器輸出的電流和電壓的改動。
環境溫度
絕大多數氣體傳感器對環境溫度是敏感的。其原因是不論化學反應、電子元器件，仍是無機和有機材料，性能參數都會隨溫度而改動。畢竟構成傳感器輸出的電流和電壓的改動。
不同傳感器的運用溫度規劃是怎樣的?
催化燃燒傳感器(LEL)：
LEL的運用溫度規劃很寬，從-40℃到70℃都可以運用。我國的消防認證所要求的溫度規劃便是從-40℃到70℃。
電化學傳感器(EC)：
電化學傳感器溫度規劃稍微窄一點，一般是-20℃到55℃。類型比較新的EC傳感器可以做到在-40℃作業。但是，EC傳感器無法長時刻在高溫環境作業，首要是因為EC傳感器內部有酸性或堿性的液體，在高溫的環境中水分會蒸發或迅速添加，然后構成電解液損失或漏液。畢竟的現象便是呼應時刻T90變長，回零時刻變長，靈敏度變低，甚至無呼應。對EC傳感器來說，最惡劣的情況是高溫低濕(HTLH)和高溫高濕(HTHH)。
非色散紅外傳感器(NDIR)：
NDIR傳感器的溫度規劃很寬，可以抵達軍工級-55℃到100℃以上。在外太空勘探氣體就靠它。
光離子化傳感器(PID)：
PID傳感器的溫度規劃比較窄，做不到像NDIR相同。一般可以承受的便是-25℃到55℃。
金屬氧化物半導體傳感器(MOS)：
MOS傳感器的溫度規劃可以很寬，但是溫漂相當嚴重。它的靈敏度的數量級和溫度系數的數量級之間是可以比擬的，因而MOS并不適合用在高溫文低溫環境，只運用于普通的室溫環境中。
環境溫度是怎么影響氣體濃度丈量效果的?
催化燃燒傳感器(LEL)：
先回憶一下LEL傳感器的原理：催化珠是鉑金絲盤繞而成的，鉑金絲的電阻是隨溫度改動而改動的，溫度越高，電阻越大。當鉑金絲的溫度在四百多度的時分，催化珠表面的催化劑活性初步明顯。這時，當催化劑觸摸甲烷的時分，甲烷初步燃燒，將熱量傳導給鉑金絲，鉑金絲電阻變大。
了解了原理，此問題就好回答了：當環境溫度升高或下降的時分，催化珠中鉑金絲的溫度也會有改動。雖然催化珠是配對運用，消除掉了一些溫度改動帶來的影響，那也僅僅對于傳感器零點有效，靈敏度仍是會隨溫度改動而改動的。
電化學傳感器(EC)：
EC傳感器內部是產生的氧化復原反應。但凡化學反應，反應速度都會隨溫度改動而改動。普遍的規律是，溫度越低，傳感器靈敏度越低，溫度越高，傳感器靈敏度越高。
在所有的電化學傳感器中，原電池型的氧氣傳感器(氧電池)的溫漂是最小的。從+20℃降溫到-20℃，其靈敏度僅下降約10%。氫氣傳感器的溫漂是最大的，從+20℃降溫到-20℃，其靈敏度下降約80%。
非色散紅外傳感器(NDIR)：
NDIR傳感器信號隨環境溫度改動的要素比較多，包括：光源的光譜、勘探器、濾光片溫度系數、運放溫度系數、電阻和電容溫度系數等諸多要素。當這些要素概括效果的時分，使得NDIR的溫度補償變得非常復雜。這也是NDIR傳感器價格高的原因之一。
光離子化傳感器(PID)：
PID的溫度漂移首要由電子元器件的溫度漂移帶來。氣體物質的電離能簡直不受溫度改動的影響。這些電子元器件包括運放、電阻、電容、變壓器線圈。
需求留心的是，當溫度低到必定程度，紫外燈(UVLamp)就會點不亮。更喪身的是，紫外燈的兩個部件——燈管和透光片會因為熱膨脹系數不同而產生裂縫。這樣紫外燈就因為漏氣而報廢了。
金屬氧化物半導體傳感器(MOS)：
MOS傳感器的溫漂是相當大的，這也是MOS傳感器不適合工業安全，而只適用于民用環境的首要原因之一。您可能會說，溫漂大，做溫度補償不就可以了嗎?做過工程師的朋友們都會清楚，讓一只溫漂超越±30%的傳感器在高低溫下做到±3%的精度，簡直是一件不可能的工作。
在民用環境，溫度改動不大，如10℃-40℃，并且要求精度不高，僅僅要求報警的情況下，MOS的確是不錯的低本錢選擇。
怎么消除環境溫度帶來的影響?
催化燃燒傳感器(LEL)：
一般不需求溫度補償。LEL傳感器在研制的過程中，就現已考慮到了溫漂。從-20℃到50℃，零點和量程點有1%-3%LEL的溫漂，用戶也是可以承受的。
電化學傳感器(EC)：
需求做溫度補償，一般用一元二次方程或一元三次方程就能解決。自變量是溫度，單位是℃，因變量是歸一化后的溫度系數，單位是%。
非色散紅外傳感器(NDIR)：
NDIR消除溫度的影響辦法有幾種，本錢都比較高。第一種是公式法，第二種是查表法，第三種是恒溫法。
光離子化傳感器(PID)：
需求做溫度補償，和EC傳感器相似，一般選用一元二次方程和一元三次方程就能解決。
金屬氧化物半導體傳感器(MOS)：
有必要做溫度補償，但需求留心的是，即使經過溫度補償，精度也不會很高。因為MOS傳感器的一致性欠好，用一致的溫度補償公式恐怕難以抵達精度要求。最好的辦法是逐個MOS傳感器進行補償，用一元二次方程，或用查表法。當然，這兩種辦法本錢也是比較高的。
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